介質(zhì)損耗正切tanδ測量的意義

通過(guò)測量tanδ，可以反映出絕緣的一系列缺陷，如絕緣受潮，油或浸漬劑臟污或老化變質(zhì)，絕緣中有氣隙發(fā)生放電等。這時(shí)，流過(guò)絕緣的電流中有功電流分量增大了，tanδ也加大。絕緣中存在氣隙這種缺陷，最好通過(guò)做tanδ與外加電壓的關(guān)系曲線(xiàn)tanδ~U 來(lái)發(fā)現。例如對于電機線(xiàn)棒，如果絕緣老化，氣隙較多，則tanδ~U將呈明顯的轉折。Uc代表較多氣隙開(kāi)始放電時(shí)的外加電壓，從tanδ增加的陡度可反映出老化的程度。

測量原理

tanδ是反映絕緣功率損耗大小的特性參數，與絕緣的體積大小無(wú)關(guān)。如果絕緣內的缺陷不是分布性而是集中性的，則測量tanδ有時(shí)反映就不靈敏。被試絕緣的體積越大，或集中性缺陷所占的體積越小，那么集中性缺陷處的介質(zhì)損耗占被試絕緣全部電介質(zhì)中的比重就越小，而Ic一般幾乎是不變的，故可知，總體的tanδ增加得也越少，這樣，測 tanδ法就越不靈敏。對于像電機、電纜這類(lèi)電氣設備，由于運行中故障多數為集中性缺陷發(fā)展所致，而且被試絕緣的體積較大，tanδ法效果就差，而套管的體積小，tanδ法不僅可以反映套管絕緣的全面情況，而且有時(shí)可以檢查出其中的集中性缺陷。

當被試品絕緣由不同的電介質(zhì)組成，例如由兩種不同的絕緣部分并聯(lián)組成時(shí)，因被試品總的介質(zhì)損耗為其兩個(gè)組成部分介質(zhì)損耗之和，且被試品所受電壓即為各組成部分所受的電壓，可知C2/Cx越小，則C2中的缺陷（tanδ2增大）在測整體的tanδ時(shí)越難發(fā)現。故對于可以分解為各個(gè)絕緣部分的被試品，常用分解進(jìn)行tanδ測量的方法。例如測變壓器 tanδ時(shí)，對套管的tanδ單獨進(jìn)行測量可以有利于發(fā)現套管的缺陷，否則，由于套管的電容比變壓器繞組的電容小得多，在測量變壓器繞組連同套管的tanδ時(shí)，就不易反映套管內的缺陷。

在通過(guò) tanδ值判斷絕緣狀況時(shí)，仍然需要著(zhù)重于與該設備歷年(相近溫度下)的tanδ值相比較以及和處于同樣運行條件下的同類(lèi)型設備相比較。即使tanδ值未超過(guò)標準，但和過(guò)去比以及和同樣運行條件的其他設備比，若tanδ突然明顯增大時(shí)，就必須認真對待，不然也會(huì )在運行中發(fā)生事故。

測量?jì)x器

北京航天偉創(chuàng )設備科技有限公司生產(chǎn)的LDJD系列介電常數及介質(zhì)損耗測試儀，可以測量固體、液體、粉體的介電常數和介質(zhì)損耗正切tanδ值。